晶体二极管及其特性和参数(二)
(二)晶体二极管的伏安特性曲线
二极管两端所加的电压与通过它的电流之间的关系曲线称为二极管的伏安特性曲线。
伏安特性曲线分析:1.正向特性:二极管处于正向偏置状态。不导通区:当二极管承受正向电压值很小时,对应的正向电流几乎为零,二极管呈现大电阻。二极管不导通,我们把这一段称为不导通区或者死区。所对应的电压叫死区电压,一般硅二极管约为0.5V,锗二极管为0.2V。导通区:当正向电压上升至大于死区电压时,正向电流增加很快,二极管正向导通。导通后正向电压微小的增加会隐去正向电流急剧线性增加。二极管正向电阻很小,二极管正向电压称为正向压降。一般硅二极管的正向压降约为0.7V,锗二极管为0.3V。这个电压比较稳定,几乎不随流过的电流大小而改变。
2.反向特性:二极管处于反向偏置状态。当二极管承受反向电压时,二极管呈现很大电阻,形成很小的反向电流,一段范围内不随反向电压的增加而改变。我们把反向电流称为反向饱和电流。实际使用中,电流值越小越好,一般硅管在几十微安以下,锗管则达几百微安。反向击穿区:当反向电压增大到超过某一值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。需要注意的是,二极管反向击穿时并不一定损坏器件,只是当反向击穿电流超过一定限定值时,PN结过热才会造成永久性损坏。
(三)晶体二极管主要参数
不同型号的晶体二极管满足于不同的使用条件,否则将会损坏二极管。为了使二极管工作在安全的条件下,需要限定其工作参数。
1.最大整流电流:常称为晶体二极管的额定工作电流,它指长期使用时允许流过二极管的最大正向平均电流。
2.最高反向工作电压:常称为晶体二极管的额定工作电压,它指为了保证二极管不致反向击穿而规定的最高反向电压。
实际应用是,工作电流,反向电压峰值均小于最大整流电流、最高反向工作电压才能安全、可靠工作。
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